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１０Ｇｂｐｓ変調レーザー、８５度Ｃの高温で高出力達成
【ＩＴ】発信：2006/05/15(月) 06:02:23
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〜Ｒｕドープ埋込み構造開発〜
ＮＴＴ先端技術総合研究所フォトニクス研究所は、ルテニウム（Ｒｕ）という原子を添加した高抵抗な半導体層で、レーザーチップの両側を埋込む構造を新たに開発し、85度Ｃの高温状態で10Ｇｂｐｓ直接変調動作できるレーザーモジュールを実現した。
アクセス系光回線の高速化に用いられる、10Ｇｂｐｓ直接変調レーザーモジュールを小型化・低コスト化・低消費電力化するためには、同レーザーモジュールの高温動作化が重要である。さらに、モジュールに内蔵するレーザーチップには、高温動作下での高い光出力が要求される。今回のＲｕドープ埋込み構造を用いたレーザーチップは、その要求を達成した。
従来のレーザーチップでは、チップ内でｐ型ドーパント（ｐ型半導体をつくるため微量に添加した原子）の拡散が起こり、十分な光出力が得られなかった。
今回は、Ｒｕを添加した半導体埋込み構造を用いることで、ｐ型ドーパントの拡散を抑制することが可能となり、85度Ｃという高温状態でも、15ｍＷ以上の高い光出力が達成できた。 同研究所では、このレーザーチップを内蔵した10Ｇｂｐｓ直接変調モジュールの温度を、25度Ｃから85度Ｃまで上昇させ、それぞれ直接変調した際の信号のアイパターンを比較したが、パターン形状に顕著な劣化はなく、高温でも正常動作できることを確認した。
同研究所では、開発したレーザーモジュールが、高速アクセス系光回線の光伝送装置を低コスト化するのに役立つと期待している。
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